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三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程，8nm 版本基本完成开发

IT之家 5 月 31 日动静，三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM 钻研会”上暗示，正按打算慢慢推动 eMRAM 内存的制程进级，今朝 8nm eMRAM 的手艺开辟已根基完成。作为一种新型内存，MRAM 基于磁性道理，具有非易掉性，不需要同 DRAM 内存一样不竭刷新数据，更加节能高效；同时 MRAM 的写入速度又是 NAND 的 1000 倍，撑持对写入速度要求更高的利用。▲eMRAM 存储道理eMRAM 即面向嵌入式范畴的 MRAM。三星电子今朝具有 28nm eMRAM 的出产能力，已在向智妙手表等终端产物供货。按照IT之家2023 年的报导，三星电子那时暗示打算在 2024 年量产 14nm eMRAM；2026 年量产 8nm 的 eMRAM；到 2027 年将更进一步，实现 5nm 制程 eMRAM 量产。今朝三星电子已完成 14nm eMRAM 的开辟，8nm eMRAM 开辟也根基完成，仍打算 2027 年推出 5nm eMRAM。三星电子认为将来车用范畴对 eMRAM 的需求将延续增加，其产物今朝耐温能力已达 150~160℃，足以知足汽车行业对半导体的严苛要求。 .app-kaihu-qr {text-align: center;padding: 20px 0;} .app-kaihu-qr span {font-size: 18px; line-height: 31px;display: block;} .app-kaihu-qr img {width: 170px;height: 170px;display: block;margin: 0 auto;margin-top: 10px;} 股市回暖，抄底炒股先开户！智能定投、前提单、个股雷达……送给你>>。

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